異常電壓保護(hù)
通常有必要討論下開(kāi)關(guān)時(shí)發(fā)生異常電壓的對(duì)策。異常電壓會(huì)在具有雜散電感的線路電流截止時(shí)發(fā)生，功率開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)的出發(fā)點(diǎn)是通過(guò)各種各樣的方法和努力使得線路的雜散電感最小化。但是，無(wú)法使雜散電感降到零，因此根據(jù)需要，就得采用緩沖電路來(lái)促進(jìn)異常電壓的吸收。
異常電流保護(hù)
IPM的出現(xiàn)對(duì)于ICBT來(lái)說(shuō)，異常電流已不是多大的問(wèn)題，但對(duì)晶閘管系列的裝置等面言、異常電流現(xiàn)在依然是重要問(wèn)題。由于晶閘管沒(méi)有電流阻斷能力，所以只有基于熔斷器的保護(hù)方法。但因?yàn)槿蹟嗥鞯男阅懿桓?，所以說(shuō)它是保護(hù)罷件還不如以它作為預(yù)防故障對(duì)策的意義更大些。
像GTO那樣具有自我阻斷能力的器件，也有可能利用門(mén)極驅(qū)動(dòng)來(lái)高速阻斷面實(shí)現(xiàn)保護(hù)，該情況下需要有故障電流快速檢測(cè)等外圍技術(shù)的支持。
此外，對(duì)于品閘管那樣在大面積半導(dǎo)體基板上形成單器件的場(chǎng)合，由于門(mén)板電流的注人面使其導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通區(qū)城從門(mén)極電極附近逐漸擴(kuò)大、
如果在開(kāi)始后立剩有過(guò)大的負(fù)裁電流流通，則該電酒會(huì)在導(dǎo)通區(qū)城集中流動(dòng)，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)菜件損壞。對(duì)于這樣的場(chǎng)合，必須與品閘管申聯(lián)接人陽(yáng)極電抗器(andereactor)來(lái)抑制電流的上升速率divd.
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